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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW451342 | 电感耦合式电浆反应器 | 2001.08.21 | 本发明系有关高密度电浆的晶片处理技术，具有降低电容耦合、增进感应磁场、促进电浆均匀性及蚀刻反应速率。 |
| 2 | TW452863 | 降低介电薄膜之介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法 | 2001.09.01 | 本发明系有关降低薄膜材料之介电常数之孔隙化制程;利用非溶剂式高压条件将气体压缩成致密流体或超临界流体 |
| 3 | CN2718777Y | 下游电浆的改良反应器 | 2005.08.17 | 本实用新型涉及一种下游电浆的改良反应器。包括一反应腔，具有一底盘、一顶盖及围绕的侧壁及腔门；一气体系 |
| 4 | TWM260984 | 下游电浆反应器之改良 | 2005.04.01 | 一种下游电浆反应器之改良，包括一电感线圈组态安置在一反应腔之侧壁外，且系由一个或多个电感线圈以棋盘式 |
| 5 | CN1384535A | 降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法 | 2002.12.11 | 本发明涉及降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法。利用非溶剂式高压条件将气体压缩成致密 |
| 6 | TW462207 | 藉电感耦合方式产生高密度均匀性电浆的方法及反应器 | 2001.11.01 | 本发明系有关高密度电浆的晶片处理技术，具有降低电容耦合、增进感应磁场、促进电浆均匀性及蚀刻反应速率。 |
| 7 | TW451338 | 以高密度电浆研磨半导体基材之方法及系统 | 2001.08.21 | 本发明叙述一种以高密度电浆研磨Ⅲ-V族半导体基材之方法及系统。本发明系在一反应室中利用化学气体电浆对 |
| 8 | TW445540 | 集束式多腔电浆反应系统 | 2001.07.11 | 一种电感耦合式电浆反应系统，其含有特殊组态之感应线圈放置在反应腔之介电窗上，该感应线圈由多个中空铝环 |
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